德國雷根斯堡大學、馬爾堡大學和帕德博恩大學的科學家合作，利用一種新近投入使用的高壓太赫磁輻射源，在萬億分之一秒的**時間內在半導體上制造了電壓達到100億伏/平方米的電磁場，并研究觀察了電子振動現象。

    由于創紀錄的強度和**的磁場運動控制，這個輻射源能夠制造遠紅外區的超短脈沖。科學家的實驗妙招是，將這種超短脈沖的擺動電磁場作為短暫的偏壓。他們借助高速攝像機，發現振動的電子可以產生從微波到紫外光區域的電磁波。為了解釋測量到的數據，科學家們開發了一個量子力學模型，這個模型可以反映半導體內的復雜過程，并確證試驗獲得的數據符合布洛赫振動的特征。

    有關研究結果揭示了量子世界新的一面，對未來半導體元件的開發具有重要意義。研究結果還表明，單光振動的瞬間產生的電流是可以被控制的。未來的電子學也將拓展到光學時鐘速率水平。布洛赫振動產生的超短脈沖突破了遠紅外區域的記錄，有望成為超短時物理研究的重要研究工具。有關結果發表在《自然光子學》雜志上。